Εναπόθεση λεπτών υμενίων Cu3N και CuInN πάνω σε γυαλί. Δομικές, ηλεκτρικές και οπτικές ιδιότητες

Abstract

Έχουν προετοιμαστεί φιλμ Cu3N πάνω σε γυαλί από Cu κάτω από NH3:O2 στους 400֯C αλλά και με reactive sputtering χαλκού κάτω από N2, ακολουθούμενο από θερμική ανόπτηση στους 400֯C κάτω από NH2:H2 . Το Cu3N έχει κυβική κρυσταλλική δομή. Διαπιστώνουμε ότι η ενσωμάτωση του ινδίου οδηγεί σε βελτίωση της κρυσταλλικότητας, αλλά παρατηρούμε επίσης το InN μέσα στο Cu3N. Το InN έχει κυβική κρυσταλλική δομή και αναμειγνύεται με το Cu3N , και τα δύο παρατηρήθηκαν με XRD και οπτική φασματοσκοπία. Αντίθετα, η εισαγωγή του Ga στο Cu3N οδηγεί σε κακή κρυστάλλωση. Το GaN έχει εξαγωνική κρυσταλλική δομή. Τα φιλμ που μελετήθηκαν έδειξαν γραμμική συμπεριφορά σε I-V μετρήσεις και καθόλου φωτοαγωγιμότητα.