Etude des propriétés de transport dans des couches de silicium désordonnées par implantation ionique à forte dose : influence du recuit thermique
Date
1986Publisher
ANRTPlace of publication
GrenobleGoogle Scholar check
Metadata
Show full item recordAbstract
DES MESURES D'EFFET HALL EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE. EFFET DE LA TEMPERATURE DE RECUIT SUR LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE. LES MECANISMES DE COLLISION SONT MODIFIES POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES A 500-600**(O)C. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR DES MODELES BASES SUR L'ORDRE A COURTE ET LONGUE PORTEE.